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DMS2120LFWB
10,000
1,000
C iss
f = 1MHz
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
I D = -1mA
100
10
C oss
C rss
0.4
0.3
0.2
I D = -250μA
0
4
8 12 16
20
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 7 Typical Capacitance
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
6
4
2
0
0
T A = 25°C
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMS2120LFWB
Document number: DS31667 Rev. 5 - 2
4 of 7
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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